參數(shù)資料
型號(hào)： IS43R32400A-6BL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 4M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144
文件頁(yè)數(shù)： 6/25頁(yè)
文件大小： 1295K
代理商： IS43R32400A-6BL
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00D
02/15/06
ISSI
IS43R32400A
DETAILED COMMAND TRUTH TABLE - SAME BANKS
Function (n)
NOP or Continue
previous operation
NOP or Continue
previous operation
Activate row
Issue Auto Refresh
Load the Base/
Extended Mode Register
Start Read Burst
Command (n)
Deselect
Prior State (n - 1)
Any
CKE (n - 1)
H
CKE (n)
H
CS
H
RAS
X
CAS
X
WE
X
NOP
Any
H
H
L
H
H
H
Active
Auto Refresh
Load Mode Register
Idle
Idle
Idle
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H
L
L
H
H
L
Read
Read
Read
Write
Write
(1)
Write
Pre-charge
Row active
Read underway
Write underway
Row active
Read underway
Write underway
Row active
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
Start Write Burst
De-activate Row,
start Pre-charge
Truncate Read Burst,
start Pre-charge
Truncate Write Burst,
start Pre-charge
Terminate Read Burst
Pre-charge
Read underway
H
H
L
L
H
L
Pre-charge
Write underway
H
H
L
L
H
L
Burst Terminate
Read underway
H
H
L
H
H
L
Note:
1. A Write command may be terminated only at the completion of the Read burst. However, a Burst Terminate can be transmitted
to end the Read burst early so that a Write command can be asserted.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R32400A-6BLI 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS45LV44002B 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS45LV44002B-50JA1 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS45LV44002B-50JLA1 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS45S16100C1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS43R32400A-6BLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6BL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400A-6B-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400D-4BL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400D-4BL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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