參數(shù)資料
型號(hào)： IS43R32400A-6BL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 4M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144
文件頁(yè)數(shù)： 9/25頁(yè)
文件大小： 1295K
代理商： IS43R32400A-6BL
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00D
02/15/06
9
ISSI
IS43R32400A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
V
DDQ
V
IN
, V
REF
V
OUT
P
D
MAX
I
CS
T
OPR
Maximum Supply Voltage
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
Input Voltage, Reference Voltage
Output Voltage
Allowable Power Dissipation
Output Shorted Current
Operating Temperature
–0.3 to +3.6
0.3 to +3.6
–0.3 to V
DDQ
+ 0.3
–0.3 to V
DDQ
+ 0.3
2
50
0 to +70
–40 to +85
–55 to +150
V
V
V
V
W
mA
°C
MAX
Com.
Ind.
T
STG
Storage Temperature
°C
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(At T
A
= 0 to +25°C, V
DD
= V
DDQ
= 2.5V, f = 1 MHz)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
C
IN1
C
IN2
C
IN
3
C
OUT
Input Capacitance: Address, B0, B1
Input Capacitance:All other input pins
Data Mask Input/Output Capacitance: DM0
-
DM3
Data Input/Output Capacitance: DQ and DQS
4
3
6
6
5
5
8
8
pF
pF
pF
pF
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This
is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the
operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods
may affect reliability.
2. All voltages are referenced to Vss.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS (SSTL_2 Input/Output, T
A
= 0
o
C to +70
o
C)
Symbol
V
DD
V
DDQ
V
TT
V
IH
V
IL
V
REF
I
IL
Parameter
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
I/O Termination Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
I/O Reference Voltage
Input Leakage Current
Test Condition
Min
2.375
2.375
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
V
SSQ
- 0.3
0.49 x V
DDQ
-5
Typ.
2.500
2.500
V
REF
—
—
0.5 x V
DDQ
—
Max
2.625
2.625
Unit
V
V
V
V
V
V
μA
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
- 0.15
0.51 x V
DDQ
5
0
≤
V
REF
≤
V
DD
, with all inputs
at V
SS
, except tested input
I
OL
Output Leakage Current Output disabled;
-5
—
5
μA
0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
I
OH
= -15.2mA
V
OH
Output High Voltage
Level
Output Low Voltage
Level
V
TT
+ 0.76
—
—
V
V
OL
I
OL
= +15.2mA
—
—
V
REF
- 0.76
V
Note:
1. V
DDQ
must always be less than or equal to V
DD
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R32400A-6BLI 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS45LV44002B 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS45LV44002B-50JA1 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS45LV44002B-50JLA1 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS45S16100C1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
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IS43R32400A-6BL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400A-6B-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400D-4BL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400D-4BL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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