參數(shù)資料
型號： K4S641632C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
中文描述： 100萬× 16 × 4銀行同步DRAM
文件頁數(shù)： 17/42頁
文件大小： 1169K
代理商： K4S641632C
CMOS SDRAM
ELECTRONICS
K4S641632C
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
*Note :
1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
Hi-Z
Hi-Z
RD
WR
Q
0
D
1
D
2
D
3
D
0
Note 1
Hi-Z
(a) CL=2, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
(b) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
D
1
D
2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
D
1
D
2
D
3
D
0
Hi-Z
Note 1
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
Q
0
Hi-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S641632D Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
K4S641633H-C 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1H 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1L 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F75 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
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