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參數(shù)資料
| 型號： | K4S641632C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC |
| 中文描述： | 100萬× 16 × 4銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 42/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 1169K |
| 代理商： | K4S641632C |
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E
K4S641632C CMOS SDRAM
Package Dimension
1
±
0
0
±
0
0.002
0.05
MIN
0.008
0.21
±
0.002
±
0.05
0
0
(
)
0.005
-0.001
0.125
-0.035
0
1
0
0
0.25TYP
0~8
°
C
#54
#28
#1
#27
0.10MAX
(0.71
0.014
0.35
±
0.10
±
0.004
0.0315
0.80
0.047
1.20
MAX
0.039
1.00
±
0.004
±
0.10
0.891
0.875
22.22
±
0.004
±
0.10
54-TSOP2-400AF
Unit : Millimeters
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S641632D | Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC |
| K4S641633H-C | 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4S641633H-F1H | 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4S641633H-F1L | 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4S641633H-F75 | 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S641632C-TC/L10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| K4S641632C-TC/L1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| K4S641632C-TC/L1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| K4S641632C-TC/L60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| K4S641632C-TC/L70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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