參數(shù)資料
型號(hào)： K4S641632C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
中文描述： 100萬× 16 × 4銀行同步DRAM
文件頁數(shù)： 35/42頁
文件大小： 1169K
代理商： K4S641632C
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ELECTRONICS
K4S641632C
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
Ra
Row Active
Clock
Suspension
Read
Write
DQM
: Don't care
Clock
Suspension
Read
*Note 1
tSHZ
tSHZ
Write
DQM
Write
Read DQM
*Note :
1. DQM is needed to prevent bus contention.
BA
0
BA
1
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
Ra
Ca
Cb
Cc
Dc2
Dc0
Qb1
Qb0
Qa3
Qa2
Qa1
Qa0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S641632D Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
K4S641633H-C 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1H 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1L 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F75 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4S641632C-TC/L10 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
K4S641632C-TC/L1H 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
K4S641632C-TC/L1L 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
K4S641632C-TC/L60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
K4S641632C-TC/L70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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