參數(shù)資料
型號(hào)： K4S641632C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
中文描述： 100萬(wàn)× 16 × 4銀行同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 28/42頁(yè)
文件大?。?/td> 1169K
代理商： K4S641632C
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ELECTRONICS
K4S641632C
Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4
HIGH
: Don't care
*Note :
1. Minimum row cycle times is required to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency - 1] number of valid output data
is available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z(t
SHZ
) after the clcok.
3. Access time from Row active command. t
CC
*(t
RCD
+ CAS latency - 1) + t
SAC
4. Ouput will be Hi-Z after the end of burst. (1, 2, 4, 8 & Full page bit burst)
*Note 1
tRC
tRCD
*Note 2
tRDL
tRDL
tSHZ
*Note 4
tSHZ
*Note 4
tOH
tRAC
*Note 3
tSAC
tSAC
tRAC
*Note 3
tOH
BA
0
BA
1
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
Ra
Rb
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Db0
Db1
Db2
Db3
Ra
Ca
Rb
Cb
WE
DQM
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S641632D Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
K4S641633H-C 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1H 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1L 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F75 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
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參數(shù)描述
K4S641632C-TC/L10 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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