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參數(shù)資料
| 型號： | K4T1G044QC-ZCLE6 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 20/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 487K |
| 代理商： | K4T1G044QC-ZCLE6 |
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DDR2 SDRAM
K4T1G044QC
K4T1G084QC
Rev. 1.1 June 2007
3 of 26
Revision History
Revision
Month
Year
History
1.0
March
2007
- Initial Release
1.1
June
2007
- Added IDD values for DDR2-800
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4T56163QI-ZLD50 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| K5A3240YT | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K6R1004C1C | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I10 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4T1G044QE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLE7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QF | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb F-die DDR2 SDRAM |
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