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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4T1G044QC-ZCLE6 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/26頁(yè) |
| 文件大小： | 487K |
| 代理商： | K4T1G044QC-ZCLE6 |
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DDR2 SDRAM
K4T1G044QC
K4T1G084QC
Rev. 1.1 June 2007
6 of 26
Note :
1. Pins B3 and A2 have identical capacitance as pins B7 and A8.
2. For a read, when enabled, strobe pair RDQS & RDQS are identical in function
and timing to strobe pair DQS & DQS and input masking function is disabled.
3. The function of DM or RDQS/RDQS are enabled by EMRS command.
4. VDDL and VSSDL are power and ground for the DLL.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
VDD
NU/
VSS
DQ6
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQS
DQ7
DQ0
VDDQ
DQ2
VSSQ
DQ5
VSSDL
VDD
CK
RAS
CK
CAS
CS
A2
A6
A4
A11
A8
NC
A13
NC
A12
A9
A7
A5
A0
VDD
A10/AP
VSS
VDDQ
VSSQ
DQ1
DQ3
DQ4
VDDL
A1
A3
BA1
VREF
VSS
CKE
WE
BA0
1
2
3
7
8
9
VDD
VSS
ODT
BA2
Ball Locations (x8)
: Populated Ball
+ : Depopulated Ball
Top View (See the balls through the Package)
+
++
+
12
34
56
78
9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
+
++ +
DM
/
RDQS
+
3.2 x8 package pinout (Top View) : 60ball FBGA Package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4T56163QI-ZLD50 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| K5A3240YT | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K6R1004C1C | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I10 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4T1G044QE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLE7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QF | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb F-die DDR2 SDRAM |
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