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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5324000BSW |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 32的DRAM上海藥物研究所（4米× 32動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 15/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | KMM5324000BSW |
DRAM MODULE
KMM5324000BSW/BSWG
RAS
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CAS
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HIDDEN REFRESH CYCLE ( WRITE )
NOTE : D
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| KMM5361205C2WG | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KMM5324004BSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324004BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
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