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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5324000BSW |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 32的DRAM上海藥物研究所（4米× 32動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 2/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | KMM5324000BSW |
DRAM MODULE
KMM5324000BSW/BSWG
CAS3
CAS2
CAS1
CAS0
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
U0
Vcc
Vss
0.1 or 0.22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
W
A0-A11
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
U1
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
W A0-A11
W A0-A11
47
47
47
47
RAS0/RAS2
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5324004BSW | 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
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| KMM5361203C2WG | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361205C2W | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5361205C2WG | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5324000BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324000CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324004BSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324004BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
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