- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373166 > KMM5324000BSW (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動態(tài) RAM模塊) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KMM5324000BSW |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 32的DRAM上海藥物研究所（4米× 32動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 18/18頁 |
| 文件大小： | 334K |
| 代理商： | KMM5324000BSW |
DRAM MODULE
KMM5324000BSW/BSWG
PACKAGE DIMENSIONS
.133(3.38)
4.250(107.95)
3.984(101.19)
R.062
±
.004(R1.57
±
.10)
.250(6.35)
3.750(95.25)
.250(6.35)
Units : Inches (millimeters)
0.125MIN
(3.20MIN)
.100(2.54)
MAX
.054(1.37)
.047(1.19)
Tolerances :
±
.005(.13) unless otherwise specified
NOTE : The used device is 4Mx16 DRAM, TSOPII
DRAM Part No. : KMM5324000BSW/BSWG -- KM416C4100BS
1.000(25.40)
.400(10.16)
.125 DIA
±
.002(3.18
±
.051)
R.062(1.57)
.250(6.35)
.080(2.03)
( Back view )
( Front view )
Gold/Solder Plating Lead
.010(.25)MAX
.050(1.27)
.041
±
.004(1.04
±
.10)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5324004BSW | 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM5328004BSW | 8M x 32 DRAM SIMM(8M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM5361203C2WG | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361205C2W | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5361205C2WG | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5324000BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324000CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324004BSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324004BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。