參數(shù)資料
型號: KMM5324000BSW
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動態(tài) RAM模塊)
中文描述: 4米× 32的DRAM上海藥物研究所(4米× 32動態(tài)內(nèi)存模塊)
文件頁數(shù): 7/18頁
文件大小: 334K
代理商: KMM5324000BSW
DRAM MODULE
KMM5324000BSW/BSWG
t
WCS
WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
DQ
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
RSH
t
CAS
t
RCD
t
RAL
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CRP
t
WP
t
DS
t
DH
t
WCH
t
CWL
t
RWL
Don
t care
DATA-IN
Undefined
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5324004BSW 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動態(tài) RAM模塊)
KMM5328004BSW 8M x 32 DRAM SIMM(8M x 32 動態(tài) RAM模塊)
KMM5361203C2WG 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh
KMM5361205C2W 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM5361205C2WG 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMM5324000BSWG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5324000CK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5324000CKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5324004BSW 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5324004BSWG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V