參數(shù)資料
型號(hào)： LAMXO640E-3FTN256E
廠商： Lattice Semiconductor Corporation
文件頁(yè)數(shù)： 21/77頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 640LUTS 256TQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： LA-MachXO
可編程類型： 系統(tǒng)內(nèi)可編程
最大延遲時(shí)間 tpd(1)： 4.9ns
電壓電源 - 內(nèi)部： 1.14 V ~ 1.26 V
宏單元數(shù)： 320
輸入/輸出數(shù)： 159
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 256-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 256-FTBGA（17x17）
包裝： 托盤
3-2
DC and Switching Characteristics
Lattice Semiconductor
LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
DC Electrical Characteristics
Over Recommended Operating Conditions
LA-MachXO1200 and LA-MachXO2280 Hot Socketing Specications
1, 2, 3, 4
1. Insensitive to sequence of VCC, VCCAUX, and VCCIO. However, assumes monotonic rise/fall rates for VCC, VCCAUX, and VCCIO.
2. 0 ≤ VCC ≤ VCC (MAX), 0 ≤ VCCIO ≤ VCCIO (MAX), and 0 ≤ VCCAUX ≤ VCCAUX (MAX).
3. IDK is additive to IPU, IPW or IBH.
4. LVCMOS and LVTTL only.
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Non-LVDS General Purpose sysIOs
IDK
Input or I/O Leakage Current
0 ≤ VIN ≤ VIH (MAX.)
—
+/-1000
A
LVDS General Purpose sysIOs
IDK_LVDS
Input or I/O Leakage Current
VIN ≤ VCCIO
—
+/-1000
A
VIN > VCCIO
—35—
mA
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
IIL, IIH
1, 4, 5
Input or I/O Leakage
0 ≤ VIN ≤ (VCCIO - 0.2V)
—
10
A
(VCCIO - 0.2V) < VIN ≤ 3.6V
—
40
A
IPU
I/O Active Pull-up Current
0 ≤ VIN ≤ 0.7 VCCIO
-30
—
-150
A
IPD
I/O Active Pull-down Current
VIL (MAX) ≤ VIN ≤ VIH (MAX)
30
—
150
A
IBHLS
Bus Hold Low sustaining current
VIN = VIL (MAX)
30
—
A
IBHHS
Bus Hold High sustaining current
VIN = 0.7VCCIO
-30
—
A
IBHLO
Bus Hold Low Overdrive current
0 ≤ VIN ≤ VIH (MAX)
—
150
A
IBHHO
Bus Hold High Overdrive current
0 ≤ VIN ≤ VIH (MAX)
—
-150
A
VBHT
3
Bus Hold trip Points
0 ≤ VIN ≤ VIH (MAX)
VIL (MAX)
—
VIH (MIN)
V
C1
I/O Capacitance
2
VCCIO = 3.3V, 2.5V, 1.8V, 1.5V, 1.2V,
VCC = Typ., VIO = 0 to VIH (MAX)
—8
—
pf
C2
Dedicated Input Capacitance
2
VCCIO = 3.3V, 2.5V, 1.8V, 1.5V, 1.2V,
VCC = Typ., VIO = 0 to VIH (MAX)
—8
—
pf
1. Input or I/O leakage current is measured with the pin congured as an input or as an I/O with the output driver tri-stated. It is not measured
with the output driver active. Bus maintenance circuits are disabled.
2. TA 25°C, f = 1.0MHz
3. Please refer to VIL and VIH in the sysIO Single-Ended DC Electrical Characteristics table of this document.
4. Not applicable to SLEEPN pin.
5. When VIH is higher than VCCIO, a transient current typically of 30ns in duration or less with a peak current of 6mA can occur on the high-to-
low transition. For LA-MachXO1200 and LA-MachXO2280 true LVDS output pins, VIH must be less than or equal to VCCIO.
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PDF描述
LAMXO640C-3FTN256E IC FPGA 640LUTS 256TQFP
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LAMXO640LUTSC-3FTN256E 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
LAMXO640LUTSC-3FTN324E 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
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