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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LHF16J06 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Flash Memory 16M (1M 】 16 / 2M 】 8) |
| 中文描述： | 閃存16M內(nèi)存（100萬】16 / 2米】8） |
| 文件頁數(shù)： | 41/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 245K |
| 代理商： | LHF16J06 |
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LHF16J06
39
Rev. 1.26
6.2.8 BLOCK ERASE, FULL CHIP ERASE, WORD/BYTE WRITE AND LOCK-BIT
CONFIGURATION PERFORMANCE
(3)
V
CC
=2.7V-3.6V, T
A
=0°C to +70°C
V
CCW
=2.7V-3.6V
Typ.
(1)
33
36
31
32
1.1
0.15
2.2
0.3
V
CCW
=11.7V-12.3V
Typ.
(1)
20
27
19
26
0.66
0.12
1.4
0.25
Sym.
t
WHQV1
t
EHQV1
Parameter
Notes
2
2
2
2
2
2
2
2
Max.
200
200
200
200
4
0.5
7
1
Max.
Unit
μs
μs
μs
μs
s
s
s
s
Word Write Time
32K word Block
4K word Block
64K byte Block
8K byte Block
32K word Block
4K word Block
64K byte Block
8K byte Block
32K word Block
64K byte Block
4K word Block
8K byte Block
Byte Write Time
Block Write Time
(In word mode)
Block Write Time
(In byte mode)
t
WHQV2
t
EHQV2
Block Erase Time
2
1.2
6
0.9
s
2
0.6
5
0.5
s
Full Chip Erase Time
2
42
210
32
s
t
WHQV3
t
EHQV3
t
WHQV4
t
EHQV4
t
WHRZ1
t
EHRZ1
t
WHRZ2
t
EHRZ2
NOTES:
1. Typical values measured at T
A
=+25°C and V
CC
=3.0V, V
CCW
=3.0V or 12.0V. Assumes corresponding lock-bits are not
set. Subject to change based on device characterization.
2. Excludes system-level overhead.
3. Sampled but not 100% tested.
4. A latency time is required from issuing suspend command(WE# or CE# going high) until RY/BY# going High Z or SR.7
going "1".
Set Lock-Bit Time
2
56
200
42
μs
Clear Block Lock-Bits Time
2
1
5
0.69
s
Word/Byte Write Suspend Latency Time to
Read
Block Erase Suspend Latency Time to
Read
4
6
15
6
15
μs
4
16
30
16
30
μs
sharp
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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