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參數(shù)資料
| 型號： | M12S128168A-10TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 10/44頁 |
| 文件大小： | 967K |
| 代理商： | M12S128168A-10TG |
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ES MT
M12S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
Nov. 2006
10/44
BURST SEQUENCE
(BURST LENGTH = 4)
Initial Adrress
A1
A0
Sequential
Interleave
0
0
0
1
2
3
0
1
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3
0
1
2
3
2
1
0
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
Initial
A2
A1
A0
Sequential
Interleave
0
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M12S128168A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128324A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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