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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12S16161A-7TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 628K |
| 代理商： | M12S16161A-7TG |
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ES MT
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length=4
M12S16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2007
Revision
:
1.1
16/29
*Note: 1.CS can be don’t cared when RAS , CAS and
WE
are high at the clock high going dege.
2.To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
BA
ADDR
A10/AP
CL=2
CL=3
WE
DQM
HIGH
*Note2
RAa
CAa
RBb
RAa
Read
(A-Bank)
Row Active
Row Active
(B-Bank)
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
DQ
CBb
CAc
CBd
CAe
QAa0
*Note1
RBb
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
QAa1 QAa2 QAa3
QBb0
QBb1 QBb2
QBb3
QAc0
QAc1 QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
QBb0 QBb1
QBb2 QBb3
QAc0
QAc1 QBd0
QBd1 QAe0
QAe1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S64322A | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S16161A-7TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S17W30 | 功能描述:電容硬件 MOUNTING HARDWARE RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 系列: 產(chǎn)品: 封裝: |
| M12S22W30 | 制造商:Cornell Dubilier Electronics 功能描述:Cap Accessories Hex Nut Nylon 制造商:CORNELL DUBILIER ELECTRONICS 功能描述:Nuts Hex Hex 30mm 18mm Nylon |
| M12S30W38 | 功能描述:電容硬件 38mm 18mm HEX NUTS NYLON RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 系列: 產(chǎn)品: 封裝: |
| M12S64164A | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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