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參數(shù)資料
| 型號： | M25PE80-VMP6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 17/43頁 |
| 文件大小： | 599K |
| 代理商： | M25PE80-VMP6T |
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M25PE80
Read Status Register (RDSR)
The Read Status Register (RDSR) instruction al-
lows the Status Register to be read. The Status
Register may be read at any time, even while a
Program, Erase or Write cycle is in progress.
When one of these cycles is in progress, it is rec-
ommended to check the Write In Progress (WIP)
bit before sending a new instruction to the device.
It is also possible to read the Status Register con-
tinuously, as shown in
Figure 11.
.
The status bits of the Status Register are as fol-
lows:
WIP bit.
The Write In Progress (WIP) bit indicates
whether the memory is busy with a Write, Program
or Erase cycle. When set to 1, such a cycle is in
progress, when reset to 0 no such cycle is in
progress.
WEL bit.
The Write Enable Latch (WEL) bit indi-
cates the status of the internal Write Enable Latch.
When set to 1 the internal Write Enable Latch is
set, when set to 0 the internal Write Enable Latch
is reset and no Write, Program or Erase instruction
is accepted.
Figure 11. Read Status Register (RDSR) Instruction Sequence and Data-Out Sequence
C
D
S
2
1
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
Instruction
0
AI02031E
Q
7
6
5
4
3
2
1
0
Status Register Out
High Impedance
MSB
7
6
5
4
3
2
1
0
Status Register Out
MSB
7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PE80-VMP6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMP6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMP6 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMW6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PE80-VMP6TG | 功能描述:閃存 SERIAL PAGE ERASE FLASH 8 Mbit Datas RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25PE80-VMP6TP | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE80-VMS6G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 3.3V 8Mbit 1M x 8bit 8ns 8-Pin QFN Tray |
| M25PE80-VMS6P | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE80-VMS6TG | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 75MHZ 8QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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