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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M25PE80-VMP6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門(mén)，串行閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 599K |
| 代理商： | M25PE80-VMP6T |
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M25PE80
40/43
Figure 30. SO8 wide – 8 lead Plastic Small Outline, 208 mils body width, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 19. SO8 wide – 8 lead Plastic Small Outline, 208 mils body width, Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
2.03
0.080
A1
0.10
0.25
0.004
0.010
A2
1.78
0.070
B
0.35
0.45
0.014
0.018
C
0.20
–
–
0.008
–
–
CP
0.10
0.004
D
5.15
5.35
0.203
0.211
E
5.20
5.40
0.205
0.213
e
1.27
–
–
0.050
–
–
H
7.70
8.10
0.303
0.319
L
0.50
0.80
0.020
0.031
a
0
10
0
10
N
8
8
SO-b
E
N
CP
B
e
A2
D
C
L
A1
α
H
A
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PE80-VMP6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMP6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMP6 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMW6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PE80-VMP6TG | 功能描述:閃存 SERIAL PAGE ERASE FLASH 8 Mbit Datas RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25PE80-VMP6TP | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE80-VMS6G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 3.3V 8Mbit 1M x 8bit 8ns 8-Pin QFN Tray |
| M25PE80-VMS6P | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE80-VMS6TG | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 75MHZ 8QFN RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ |
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