參數資料
型號： M29F105B
廠商： 意法半導體
英文描述： 1Mbit (64Kb x16, Block Erase) Single Supply Flash Memory(1Mb閃速存儲器)
中文描述： 為1Mbit（64Kb的x16插槽，塊擦除）單電源閃存存儲器（1MB閃速存儲器）
文件頁數： 15/28頁
文件大小： 200K
代理商： M29F105B
AI02119
E
G
W
A0-A15
DQ0-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWH
tGHWL
Figure 7. WriteAC Waveforms, W Controlled
Note:
Address are latched on the falling edge of W, Datais latched on the rising edge of W.
POWER SUPPLY
PowerUp
ThememoryCommandInterfaceis reseton power
up to ReadArray.EitherE or W mustbe tiedto V
IH
during Power Up to allow maximum security and
thepossibilityto writea commandon thefirstrising
edge of E and W. Any write cycle initiation is
blockedwhen Vcc is below V
LKO
.
Supply Rails
Normal precautionsmust be taken for supply volt-
age decoupling; each device in a system should
havethe V
CC
rail decoupledwith a0.1
μ
F capacitor
close to the V
CC
and V
SS
pins. The PCB trace
widths should be sufficient to carry the V
CC
pro-
gramand erase currents required.
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M29F105B
相關PDF資料
PDF描述
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M29F400BT90N3E 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory
M29F400BT90N3F 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory
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參數描述
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