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參數(shù)資料
| 型號： | M36DR432AD10ZA6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | PS MEDICAL SWITCHING 24V 1.7A |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁閃存和4兆位的256Kb x16的SRAM，多個存儲產(chǎn)品 |
| 文件頁數(shù)： | 51/52頁 |
| 文件大小： | 834K |
| 代理商： | M36DR432AD10ZA6T |
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M36DR432AD, M36DR432BD
REVISION HISTORY
Table 36. Document Revision History
Date
Version
Revision Details
15-Jan-2003
1.0
First issue.
15-Jan-2003
1.1
Bottom Device Code corrected on page 1.
25-Feb-2003
2.0
Document promoted from Preliminary Data to full Datasheet status.
28-Feb-2003
2.1
V
DDQF
signal removed from datasheet. SRAM Input Rise and Fall Times added to,
and V
DDF
and V
DDS
parameters differentiated in Table 14, Operating and AC
Measurement Conditions. V
DDS
added to the SIGNAL DESCRIPTIONS section.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M36DR432A100ZA6C | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432DA85ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432DA10ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M36DR432AD85ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432ADZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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