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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M36DR432AZA |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁閃存和4兆位256K x16的SRAM，多個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)品 |
| 文件頁數(shù)： | 39/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 834K |
| 代理商： | M36DR432AZA |
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M36DR432AD, M36DR432BD
Figure 19. SRAM Standby AC Waveforms
Table 23. SRAM Read AC Characteristics
)
Note: 1. Sampled only. Not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
SRAM
Unit
70
Min
Max
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
70
ns
t
AVQV
t
AA
Address Valid to Output Valid
70
ns
t
AXQX
t
OH
Address Transition to Output Transition
10
ns
t
BHQZ
t
BHZ
UBS, LBS Disable to Hi-Z Output
25
ns
t
BLQV
t
BA
UBS, LBS Access Time
45
ns
t
BLQX
t
BLZ
UBS, LBS Enable to Low-Z Output
5
ns
t
EHQZ
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
25
ns
t
ELQV
t
ACE
Chip Enable Low to Output Valid
70
ns
t
ELQX
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
5
ns
t
GHQZ
t
OHZ
Output Enable High to Output Hi-Z
25
ns
t
GLQV
t
EO
Output Enable Low to Output Valid
35
ns
t
GLQX
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
5
ns
t
PD (1)
Chip Enable High to Power Down
70
ns
t
PU (1)
Chip Enable Low to Power Up
0
ns
AI07320
tPD
IDD
tPU
ES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| M36DR432A120ZA6C | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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