參數資料
型號： MB81V17805B-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 200萬× 8位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（200萬× 8位超級頁面存取模式動態(tài)內存）
文件頁數： 9/29頁
文件大?。?/td> 557K
代理商： MB81V17805B-60
9
MB81V17805B-50/-60
(Continued)
No.
Parameter
Notes
Symbol
MB81V17805B-50
MB81V17805B-60
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
32
Read Command Hold Time
Referenced to CAS
*14
t
RCH
0
—
0
—
ns
33
Write Command Set Up Time
*15
t
WCS
0
—
0
—
ns
34
Write Command Hold Time
t
WCH
7
—
10
—
ns
35
Write Hold Time from RAS
t
WCR
18
—
24
—
ns
36
WE Pulse Width
t
WP
7
—
10
—
ns
37
Write Command to RAS Lead Time
t
RWL
13
—
15
—
ns
38
Write Command to CAS Lead Time
t
CWL
7
—
10
—
ns
39
DIN Set Up Time
t
DS
0
—
0
—
ns
40
DIN Hold Time
t
DH
7
—
10
—
ns
41
Data Hold Time from RAS
t
DHR
18
—
24
—
ns
42
RAS to WE Delay Time
*20
t
RWD
65
—
77
—
ns
43
CAS to WE Delay Time
*20
t
CWD
28
—
32
—
ns
44
Column Address to WE Delay Time
*20
t
AWD
40
—
47
—
ns
45
RAS Precharge Time to CAS Active
Time (Refresh Cycles)
t
RPC
5
—
5
—
ns
46
CAS Set Up Time for CAS-before-
RAS Refresh
t
CSR
0
—
0
—
ns
47
CAS Hold Time for CAS-before-RAS
Refresh
t
CHR
10
—
10
—
ns
48
Access Time from OE
*9
t
OEA
—
13
—
15
ns
49
Output Buffer Turn Off Delay from OE
*10
t
OEZ
—
13
—
15
ns
50
OE to RAS Lead Time for Valid Data
t
OEL
5
—
5
—
ns
51
OE to CAS Lead Time
t
COL
5
—
5
—
ns
52
OE Hold Time Referenced to WE
*16
t
OEH
5
—
5
—
ns
53
OE to Data In Delay Time
t
OED
13
—
15
—
ns
54
RAS to Data In Delay Time
t
RDD
13
—
15
—
ns
55
CAS to Data In Delay Time
t
CDD
13
—
15
—
ns
56
DIN to CAS Delay Time
*17
t
DZC
0
—
0
—
ns
57
DIN to OE Delay Time
*17
t
DZO
0
—
0
—
ns
58
OE Precharge Time
t
OEP
5
—
5
—
ns
59
OE Hold Time Referenced to CAS
t
OECH
7
—
10
—
ns
60
WE Precharge Time
t
WPZ
5
—
5
—
ns
61
WE to Data In Delay Time
t
WED
13
—
15
—
ns
62
Hyper Page Mode RAS Pulse Width
t
RASP
—
100000
—
100000
ns
相關PDF資料
PDF描述
MB81V18160A-70 CMOS 1M ×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18160A-70L CMOS 1M ×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165A-70 CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165A-70L CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165B-50 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數
參數描述
MB82 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 8A 200V BR-6 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 橋式整流器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 標準包裝:1,500 系列:- 電壓 - 峰值反向(最大):1000V 電流 - DC 正向(If):1.5A 二極管類型:單相 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD 包裝:帶卷 (TR) 供應商設備封裝:4-SDIP
MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標準包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*