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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F033C-90PTR |
| 廠(chǎng)商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 32M (4M X 8) BIT |
| 中文描述： | 4M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/46頁(yè) |
| 文件大小： | 478K |
| 代理商： | MBM29F033C-90PTR |
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32
MBM29F033C
-70/-90/-12
Figure 7 Alternate CE Controlled Program Operation Timings
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
t
WS
t
GHEL
t
WH
t
WHWH1
t
WC
WE
OE
A
0
to A
21
Data
t
CP
t
CPH
t
AH
t
DS
t
DH
DQ
7
PD
A
0H
D
OUT
CE
XXXH
PA
PA
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
AS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F033C-12 | 32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-12PTN | 32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F040A-12 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F040A-12-X | FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-90-X | FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-12-X | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-90-X | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040C | 制造商:FUJRTSU 功能描述: |
| MBM29F040C-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
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