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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F033C-90PTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M (4M X 8) BIT |
| 中文描述： | 4M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 |
| 文件頁數(shù)： | 39/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 478K |
| 代理商： | MBM29F033C-90PTR |
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39
MBM29F033C
-70/-90/-12
Figure 17 Embedded Erase
TM
Algorithm
EMBEDDED ALGORITHMS
Note:
To insure the command has been accepted, the system software should check the status
of DQ
3
prior to and following each subsequent sector erase command. If DQ
3
were high on
the second status check, the command may not have been accepted.
Start
×××
H/AAH
×××
H/55H
×××
H/AAH
×××
H/80H
×××
H/10H
×××
H/55H
×××
H/AAH
×××
H/55H
×××
H/AAH
×××
H/80H
×××
H/55H
Additional sector
erase commands
are optional.
Write Erase Command
Sequence
(See Below)
Data Polling or Toggle Bit
Successfully Completed
Erasure Completed
Chip Erase Command Sequence*
(Address/Command):
Individual Sector/Multiple Sector*
Erase Command Sequence
(Address/Command):
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Sector Address/30H
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F033C-12 | 32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-12PTN | 32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F040A-12 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F040A-12-X | FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-90-X | FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-12-X | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-90-X | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040C | 制造商:FUJRTSU 功能描述: |
| MBM29F040C-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
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