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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F033C-90PTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M (4M X 8) BIT |
| 中文描述： | 4M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 |
| 文件頁數(shù)： | 34/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 478K |
| 代理商： | MBM29F033C-90PTR |
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34
MBM29F033C
-70/-90/-12
Figure 9 AC Waveforms for Data Polling During Embedded Algorithm Operations
* :DQ
7
= Valid Data (The device has completed the Embedded operation).
t
OEH
t
OE
t
WHWH1 or 2
CE
OE
WE
DQ
7
t
DF
t
CH
t
CE
High-Z
DQ
=
Valid Data
DQ
0
to DQ
6
DQ
0
to DQ
6
= Invalid
DQ
to DQ
6
Valid Data
t
OE
DQ
7
*
High-Z
Figure 10 AC Waveforms for Toggle Bit I During Embedded Algorithm Operations
* :DQ
6
= Stops Toggling (The device has completed the Embedded operation).
t
OEH
CE
WE
OE
Data
DQ
6
= Toggle
*
t
OES
t
OE
(DQ
0
to DQ
7
)
DQ
6
= Toggle
DQ
6
=
Stop Toggling
DQ
to DQ
7
Valid
t
OEH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F033C-12 | 32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-12PTN | 32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F040A-12 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F040A-12-X | FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-90-X | FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-12-X | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-90-X | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040C | 制造商:FUJRTSU 功能描述: |
| MBM29F040C-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
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