參數(shù)資料
型號： MBM29F400TC-70PFTN
廠商： FUJITSU LTD
元件分類： DRAM
英文描述： Replaced by TPS2044B : 0.7A, 2.7-5.5V Quad (2In/4Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85
中文描述： 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝： PLASTIC, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 29/47頁
文件大?。?/td> 542K
代理商： MBM29F400TC-70PFTN
29
MBM29F400TC
-55/-70/-90
/MBM29F400BC
-55/-70/-90
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
6. These waveforms are for the
×
16 mode.
Figure 6 AC Waveforms for Alternate WE Controlled Program Operations
t
GHWL
t
WP
t
DF
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
5.0 V
CE
OE
t
RC
Addresses
Data
t
AS
t
OE
t
WPH
t
CS
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
t
CE
WE
555H
PA
PA
t
OH
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
CH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29F400TC-70PFTR Replaced by TPS2044B : 0.7A, 2.7-5.5V Quad (2In/4Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85
MBM29F400TC-90 Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85
MBM29F400TC-90PF Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85
MBM29F800B-12 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器)
MBM29F800T-12 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29F400TC-70PFTR 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400TC-90 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT
MBM29F400TC-90PF 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400TC-90PF# 制造商:FUJITSU 功能描述:
MBM29F400TC-90PF-SFL(E1) 制造商:Spansion 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*