參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29F400TC-70PFTN
廠商： FUJITSU LTD
元件分類： DRAM
英文描述： Replaced by TPS2044B : 0.7A, 2.7-5.5V Quad (2In/4Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85
中文描述： 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝： PLASTIC, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 36/47頁(yè)
文件大?。?/td> 542K
代理商： MBM29F400TC-70PFTN
36
MBM29F400TC
-55/-70/-90
/MBM29F400BC
-55/-70/-90
Figure 17 Temporary Sector Unprotection Timing Diagram
5 V
RESET
V
CC
CE
WE
RY/BY
t
VLHT
Program or Erase Command Sequence
5 V
t
VLHT
t
VCS
t
VIDR
V
ID
t
VLHT
Unprotection period
Figure 18 DQ
2
vs. DQ
6
Note:
DQ
2
is read from the erase-suspended sector.
DQ
2
DQ
6
WE
Erase
Erase
Suspend
Enter
Embedded
Erasing
Erase Suspend
Read
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Complete
Toggle
DQ
2
and DQ
6
with OE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29F400TC-70PFTR Replaced by TPS2044B : 0.7A, 2.7-5.5V Quad (2In/4Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85
MBM29F400TC-90 Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85
MBM29F400TC-90PF Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85
MBM29F800B-12 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800T-12 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29F400TC-70PFTR 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400TC-90 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT
MBM29F400TC-90PF 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400TC-90PF# 制造商:FUJITSU 功能描述:
MBM29F400TC-90PF-SFL(E1) 制造商:Spansion 功能描述:
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