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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F400TC-70PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Replaced by TPS2044B : 0.7A, 2.7-5.5V Quad (2In/4Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85 |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 542K |
| 代理商： | MBM29F400TC-70PFTN |
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42
MBM29F400TC
-55/-70/-90
/MBM29F400BC
-55/-70/-90
Figure 24 Temporary Sector Unprotection Algorithm
Notes:
1. All protected sectors unprotected.
2. All previously protected sectors are protected once again.
RESET = V
ID
(Note 1)
Perform Erase or
Program Operations
RESET = V
IH
Start
Temporary Sector
Unprotection Completed
(Note 2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F400TC-70PFTR | Replaced by TPS2044B : 0.7A, 2.7-5.5V Quad (2In/4Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85 |
| MBM29F400TC-90 | Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F400TC-90PF | Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F800B-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800T-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F400TC-70PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29F400TC-90 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400TC-90PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29F400TC-90PF# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F400TC-90PF-SFL(E1) | 制造商:Spansion 功能描述: |
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