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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV320TE80TN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 40/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 877K |
| 代理商： | MBM29LV320TE80TN |
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MBM29LV320TE/BE
80/90/10
40
(Continued)
*1 : This does not include the preprogramming time.
*2 : This timing is for Sector Group Protection operation.
*3 : This timing is limited for Accelerated Program operation only.
Parameter
Symbol
Value
Unit
JEDEC
Standard
80
(Note)
90
(Note)
10
(Note)
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max Min
Typ
Max
BYTE Switching Low to Output High-Z
t
FLQZ
30
30
30
ns
BYTE Switching High to Output Active
t
FHQV
80
90
100
ns
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
t
BUSY
90
90
90
ns
Delay Time from Embedded Output
Enable
t
EOE
80
90
100
ns
Erase Time-out Time
t
TOW
50
20
50
20
50
20
μ
s
μ
s
Erase Suspend Transition Time
t
SPD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV320TE80TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320BE90TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV400B-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400T-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400T-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV320TE80TR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE-90PFTN | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29LV320TE90TN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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