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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV320TE80TN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 63/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 877K |
| 代理商： | MBM29LV320TE80TN |
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MBM29LV320TE/BE
80/90/10
63
(Continued)
63-pin plastic FBGA
(BGA-63P-M01)
C
2001 FUJITSU LIMITED B63001S-c-2-2
11.00
±
0.10(.433
±
.004)
–.004
(Mo.041
0.38
±
0.10
(.015
±
.004)
(Stand off)
+.006
–0.10
1.05
1
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
G
H
0.80(.031)TYP
(5.60(.220))
(5.60(.220))
INDEX BALL
M
0.08(.003)
0.10(.004)
INDEX AREA
7.00
±
0.10
(.276
±
.004)
(7.20(.283))
J
K
(63-0.18
±
.002)
63-0.45
±
0.05
M
L
(8.80(.346))
(4.00(.157))
Dimensions in mm (inches)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV320TE80TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320BE90TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV400B-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400T-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400T-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV320TE80TR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE-90PFTN | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29LV320TE90TN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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