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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV320TE80TN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/64頁(yè) |
| 文件大小： | 877K |
| 代理商： | MBM29LV320TE80TN |
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MBM29LV320TE/BE
80/90/10
42
I
TIMING DIAGRAM
Key to Switching Waveforms
1.
Read Operation Timing Diagram
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Must Be
Steady
May
Change
from H to L
May
Change
from L to H
"H" or "L"
Any Change
Permitted
Does Not
Apply
Will Be
Steady
Will
Change
from H to L
Will
Change
from L to H
Changing
State
Unknown
Center Line is
High-
Impedance
"Off" State
Address
Address Stable
High-Z
High-Z
CE
OE
WE
Outputs
Output Valid
t
RC
t
ACC
t
OE
t
DF
t
CE
t
OH
t
OEH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV320TE80TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320BE90TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV400B-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400T-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400T-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV320TE80TR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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| MBM29LV320TE90TN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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