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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV800T |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 16）位快閃記憶體（單5V的電源電壓100萬(wàn)× 8/512K × 16位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 647K |
| 代理商： | MBM29LV800T |
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30
MBM29LV800T
-10/-12
/MBM29LV800B
-10/-12
Write/Erase/Program Operations
Alternate WE Controlled Writes
Notes:
1. This does not include the preprogramming time.
2. This timing is for Sector Protection operation.
Parameter Symbols
Description
-10
-12
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
100
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
50
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
50
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
50
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
sec
—
t
VCS
V
CC
Set Up Time
Min.
50
50
μ
s
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
μ
s
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
μ
s
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μ
s
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μ
s
—
t
RB
Recover Time From RY/BY
Min.
0
0
ns
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
ns
—
t
RH
RESET Hold Time Before Read
Min.
500
500
ns
—
t
FLQZ
BYTE Switching Low to Output High-Z
Max.
30
40
ns
—
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
Min.
90
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29PDS322TE10PBT | Replaced by TPS2046B : 0.345A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29PDS322TE10 | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322BE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322TE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322TE11 | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV800TA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800TA-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800TA-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800TA-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800TE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
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