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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV800T |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 16）位快閃記憶體（單5V的電源電壓100萬× 8/512K × 16位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 44/51頁 |
| 文件大小： | 647K |
| 代理商： | MBM29LV800T |
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44
MBM29LV800T
-10/-12
/MBM29LV800B
-10/-12
DQ
7
= Data
No
No
DQ
7
= Data
DQ
5
= 1
Yes
Yes
No
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr = VA
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr = VA
Yes
Start
Fail
Pass
Figure 20 Data Polling Algorithm
Note:
DQ
7
is rechecked even if DQ
5
= “1” because DQ
7
may change simultaneously with DQ
5
.
VA = Byte address for programming
= Any of the sector addresses within
the sector being erased during
sector erase or multiple sector
erases operation
= XXXXH during sector erase or
multiple sector erases
= Any of the sector addresses within
the sector not being protected
during sector erase or multiple
sector erases operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29PDS322TE10PBT | Replaced by TPS2046B : 0.345A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29PDS322TE10 | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322BE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322TE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322TE11 | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV800TA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800TA-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800TA-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800TA-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800TE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
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