參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29LV800T
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 8米（1米× 8/512K × 16）位快閃記憶體（單5V的電源電壓100萬× 8/512K × 16位閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 35/51頁
文件大?。?/td> 647K
代理商： MBM29LV800T
35
MBM29LV800T
-10/-12
/MBM29LV800B
-10/-12
t
CP
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
WE
OE
Addresses
Data
t
AS
t
CPH
t
DH
DQ
7
A0H
D
OUT
CE
5555H
PA
PA
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
WS
t
WH
t
GHEL
PD
Figure 7 Alternate CE Controlled Program Operation Timings
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3.
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
6. These waveforms are for the
×
16 mode. The addresses differ from
×
8 mode.
DQ
7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29PDS322TE10PBT Replaced by TPS2046B : 0.345A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85
MBM29PDS322TE10 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation
MBM29PDS322BE 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation
MBM29PDS322TE 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation
MBM29PDS322TE11 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29LV800TA 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29LV800TA-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29LV800TA-70 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29LV800TA-90 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29LV800TE 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT
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