參數(shù)資料
型號： MCIMX258CJM4
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 13/153頁
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描述： MPU IMX25 IND 400-MAPBGA
特色產(chǎn)品： MCIMX25 Applications Processors
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： i.MX25
核心處理器： ARM9
芯體尺寸： 32-位
速度： 400MHz
連通性： 1 線，CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 128
程序存儲器類型： 外部程序存儲器
RAM 容量： 144K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.15 V ~ 1.52 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 3x12b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 400-LFBGA
包裝： 托盤
i.MX25 Applications Processor for Consumer and Industrial Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
11
3
Electrical Characteristics
This section provides the device-level and module-level electrical characteristics for the i.MX25.
3.1
i.MX25 Chip-Level Conditions
This section provides the chip-level electrical characteristics for the IC.
3.1.1
DC Absolute Maximum Ratings
Table 5 provides the DC absolute maximum operating conditions.
CAUTION
Stresses beyond those listed under Table 5 may cause permanent
damage to the device.
Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods
may affect device reliability.
Table 5 gives stress ratings only—functional operation of the device is
not implied beyond the conditions indicated in Table 6.
3.1.2
DC Operating Conditions
Table 6 provides the DC recommended operating conditions.
Table 5. DC Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Units
Supply voltage
QVDD
–0.5
1.52
V
Supply voltage (level shift i/o)
VDDIOmax
–0.5
3.6
V
ESD damage immunity:
Vesd
V
Human body model (HBM)
—
2500
Charge device model (CDM)
—
400
Machine model (MM)
—
200
Input voltage range
VImax
–0.5
NVDD + 0.3
V
Storage temperature range
Tstorage
–40
105
oC
Table 6. DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Core supply voltage (at 266 MHz)
QVDD
1.15
1.34
1.52
V
Core supply voltage (at 400 MHz)
QVDD
1.38
1.45
1.52
V
Coin battery1
BAT_VDD
VDD_BAT
1.15
—
1.55
V
I/O supply voltage, GPIO
NFC,CSI,SDIO
NVDD_GPIO1
1.75
—
3.6
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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