- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄3923 > MM912H634CV1AER2 (Freescale Semiconductor)IC 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MM912H634CV1AER2 |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 244/349頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE |
| 標準包裝： | 2,000 |
| 應用： | 自動 |
| 核心處理器： | HCS12 |
| 程序存儲器類型： | 閃存（64 kB） |
| 控制器系列： | HCS12 |
| RAM 容量： | 6K x 8 |
| 接口： | LIN |
| 電源電壓： | 5.5 V ~ 27 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 105°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 48-LQFP 裸露焊盤 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 供應商設備封裝： | 48-LQFP 裸露焊盤（7x7） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁當前第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁第303頁第304頁第305頁第306頁第307頁第308頁第309頁第310頁第311頁第312頁第313頁第314頁第315頁第316頁第317頁第318頁第319頁第320頁第321頁第322頁第323頁第324頁第325頁第326頁第327頁第328頁第329頁第330頁第331頁第332頁第333頁第334頁第335頁第336頁第337頁第338頁第339頁第340頁第341頁第342頁第343頁第344頁第345頁第346頁第347頁第348頁第349頁
MM912_634 Advance Information, Rev. 10.0
Freescale Semiconductor
318
5.40.4.5
Flash Command Description
This section provides details of all available Flash commands launched by a command write sequence. The ACCERR bit in the
FSTAT register will be set during the command write sequence if any of the following illegal steps are performed, causing the
command not to be processed by the Memory Controller:
Starting any command write sequence that programs or erases Flash memory before initializing the FCLKDIV register
Writing an invalid command as part of the command write sequence
For additional possible errors, refer to the error handling table provided for each command
If a Flash block is read during execution of an algorithm (CCIF = 0) on that same block, the read operation will return invalid data.
If the SFDIF or DFDIF flags were not previously set when the invalid read operation occurred, both the SFDIF and DFDIF flags
will be set.
If the ACCERR or FPVIOL bits are set in the FSTAT register, the user must clear these bits before starting any command write
sequence (see Section 5.40.3.2.7, “Flash Status Register (FSTAT)").
CAUTION
A Flash word or phrase must be in the erased state before being programmed. Cumulative
programming of bits within a Flash word or phrase is not allowed.
5.40.4.5.1
Erase Verify All Blocks Command
The Erase Verify All Blocks command will verify that all P-Flash and D-Flash blocks have been erased.
Upon clearing CCIF to launch the Erase Verify All Blocks command, the Memory Controller will verify that the entire Flash
memory space is erased. The CCIF flag will set after the Erase Verify All Blocks operation has completed.
Mass Erase(227)
OK
Note:
227. A ‘Margin Read’ is any read after executing the margin setting commands ‘Set User Margin Level’ or ‘Set Field
Margin Level’ with anything but the ‘normal’ level specified.
228. See the Note on margin settings in Section 5.40.4.5.12, “Set User Margin Level Command" and
229. The ‘Mass Erase’ operations are commands ‘Erase All Blocks’ and ‘Erase Flash Block’.
Table 460. Erase Verify All Blocks Command FCCOB Requirements
CCOBIX[2:0]
FCCOB Parameters
000
0x01
Not required
Table 461. Erase Verify All Blocks Command Error Handling
Register
Error Bit
Error Condition
FSTAT
ACCERR
Set if CCOBIX[2:0] != 000 at command launch
FPVIOL
None
MGSTAT1
Set if any errors have been encountered during the read
MGSTAT0
Set if any non-correctable errors have been encountered during the read
Table 459. Allowed P-Flash and D-Flash Simultaneous Operations
Data Flash
Program Flash
Read
Margin Read(227)
Program
Sector Erase
Mass Erase(229)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 345-026-540-201 | CARDEDGE 26POS DUAL .100 GREEN |
| 345-026-527-804 | CARDEDGE 26POS DUAL .100 GREEN |
| MM912H634CV1AE | IC 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE |
| 345-026-527-802 | CARDEDGE 26POS DUAL .100 GREEN |
| 345-026-527-801 | CARDEDGE 26POS DUAL .100 GREEN |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MM912H634DM1AE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MM912H634DM1AER2 | 功能描述:16位微控制器 - MCU 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MM912H634DV1AE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MM912H634DV1AER2 | 功能描述:16位微控制器 - MCU 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MM912I637AM2EP | 功能描述:電池管理 Precision BATT SENS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 電池類型:Li-Ion 輸出電壓:5 V 輸出電流:4.5 A 工作電源電壓:3.9 V to 17 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:VQFN-24 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。