參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P3300H
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 14/24頁(yè)
文件大?。?/td> 1017K
代理商： MRF6P3300H
14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
TYPICAL TWO-TONE BROADBAND CHARACTERISTICS
Figure 27. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power @ 473 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
30
35
40
50
55
10
I
I
25
I
DQ
= 800 mA
2000 mA
1200 mA
1600 mA
1000
45
2400 mA
Figure 28. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power @ 560 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
30
35
40
50
55
10
I
I
25
I
DQ
= 800 mA
2000 mA
1200 mA
1600 mA
V
DD
= 32 Vdc, f1 = 557 MHz, f2 = 563 MHz
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
1000
45
2400 mA
Figure 29. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power @ 660 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
30
35
40
50
55
10
I
I
25
I
DQ
= 800 mA
2000 mA
1200 mA
1600 mA
V
DD
= 32 Vdc, f1 = 657 MHz, f2 = 663 MHz
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
1000
45
2400 mA
Figure 30. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power @ 760 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
30
35
40
50
55
10
I
I
25
I
DQ
= 800 mA
2000 mA
1200 mA
1600 mA
V
DD
= 32 Vdc, f1 = 757 MHz, f2 = 763 MHz
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
1000
45
2400 mA
V
DD
= 32 Vdc, f1 = 470 MHz, f2 = 476 MHz
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
Figure 31. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power @ 857 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
30
35
40
50
55
10
I
I
25
I
DQ
= 800 mA
2000 mA
1200 mA
1600 mA
V
DD
= 32 Vdc, f1 = 854 MHz, f2 = 860 MHz
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
1000
45
2400 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF6P3300HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF6P3300HR5 功能描述:MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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