參數(shù)資料
型號： MRF6P3300H
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 20/24頁
文件大小： 1017K
代理商： MRF6P3300H
20
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
TYPICAL PAL B/G BROADBAND CHARACTERISTICS
P
Figure 52. Peak Sync, Power Gain and Drain
Efficiency versus Frequency
15
245
f, FREQUENCY (MHz)
50
280
40
20
275
270
400
η
D
,
p
,
G
ps
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1500 mA
Sync Compression
Input = 33%, Output = 27%
900
45
30
265
η
D
500
600
700
800
35
25
260
255
250
Peak Sync
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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