參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P3300H
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 19/24頁(yè)
文件大?。?/td> 1017K
代理商： MRF6P3300H
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
19
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL ATSC 8VSB BROADBAND CHARACTERISTICS
A
Figure 48. Single-Carrier ATSC 8VSB
Broadband Performance @ 100 Watts Avg.
15
33
f, FREQUENCY (MHz)
40
23
30
20
24
25
32
400
27
η
D
,
p
,
G
ps
ACPR
V
DD
= 32 Vdc, P
out
= 100 W (Avg.)
I
DQ
= 1700 mA, ATSC 8VSB
37.5
900
35
25
26
η
D
500
600
700
800
Figure 49. Single-Carrier ATSC 8VSB Power
Gain versus Output Power
17
24
3
f = 560 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
23
21
20
100
200
G
p
,
22
19
10
660 MHz
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1700 mA
760 MHz
860 MHz
η
D
,
D
Figure 50. Single-Carrier ATSC 8VSB Drain
Efficiency versus Output Power
0
50
3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
40
30
100
200
20
10
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1700 mA
ATSC 8VSB
10
f = 660 MHz
560 MHz
760 MHz
860 MHz
A
Figure 51. Single-Carrier ATSC 8VSB ACPR
versus Output Power
40
15
3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
20
100
200
25
10
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1700 mA
ATSC 8VSB
35
f = 860 MHz
760 MHz
660 MHz
32.5
27.5
22.5
17.5
28
29
30
31
470 MHz
18
470 MHz
30
470 MHz
560 MHz
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PDF描述
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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