參數資料
型號： MRF6P3300H
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應晶體管
文件頁數： 2/24頁
文件大小： 1017K
代理商： MRF6P3300H
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
3B (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
C (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
(1)
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(4)
(V
DS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(4)
(V
DS
= 32 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
On Characteristics
(1)
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 350
μ
Adc)
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 32 Vdc, I
D
= 1600 mAdc, Measured in Functional Test)
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2.4 Adc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
V
GS(th)
1
2.2
3
Vdc
V
GS(Q)
2
2.8
4
Vdc
V
DS(on)
—
0.22
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 2.4 Adc)
Dynamic Characteristics
(1,2)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 32 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Functional Tests
(3)
(In Freescale Narrowband Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA, P
out
= 270 W PEP,
f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz
Power Gain
g
fs
—
7.4
—
S
C
rss
—
1.4
—
pF
G
ps
η
D
19
20.2
23
dB
Drain Efficiency
41
44.1
—
%
Intermodulation Distortion
IMD
—
-30.8
-28
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-24
-9
dB
P
out
@ 1 dB Compression Point, CW
(f = 860 MHz)
P1dB
—
320
—
W
1. Each side of the device measured separately.
2. Part internally matched both on input and output.
3. Measurement made with device in push-pull configuration.
4. Drains are tied together internally as this is a total device value.
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PDF描述
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參數描述
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MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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