參數(shù)資料
型號： MRF6S18100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
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代理商： MRF6S18100NBR1
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 700 mA, P
out
=
40 W Avg., 1805-1880 MHz or 1930-1990 MHz EDGE Modulation
Power Gain
G
ps
η
D
—
15
—
dB
Drain Efficiency
—
35
—
%
Error Vector Magnitude
EVM
—
2
—
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
—
-63
—
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
—
-76
—
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 900 mA, P
out
= 100 W,
1805-1880 MHz
Power Gain
G
ps
η
D
—
14.5
—
dB
Drain Efficiency
—
49
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-12
—
dB
P
out
@ 1 dB Compression Point
P1dB
—
110
—
W
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PDF描述
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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