參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S18100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 9/20頁(yè)
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代理商： MRF6S18100NBR1
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 5
Ω
Z
load
f = 1900 MHz
f = 2020 MHz
Z
source
f = 1900 MHz
f = 2020 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 900 mA, P
out
= 100 W
f
MHz
Z
source
Z
load
1900
2.80 - j4.53
1.75 - j3.52
1930
2.71 - j4.27
1.67 - j3.25
1960
2.63 - j4.03
1.59 - j2.99
1990
2.56 - j3.79
1.52 - j2.74
2020
2.51 - j3.57
1.47 - j2.51
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance — 1930-1990 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
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MRF6S19140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF6S18100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF6S18140HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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