參數(shù)資料
型號： MRF6S18100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 4/20頁
文件大?。?/td> 711K
代理商： MRF6S18100NBR1
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
Figure 1. MRF6S18100NR1(NBR1) Test Circuit Schematic — 1930-1990 MHz
Z9
Z10*
Z11*
Z13, Z14
PCB
0.485
″
x 1.000
″
Microstrip
0.590
″
x 0.083
″
Microstrip
0.805
″
x 0.083
″
Microstrip
0.870
″
x 0.080
″
Microstrip
Taconic TLX8-0300, 0.030
″
,
ε
r
= 2.55
*Variable for tuning.
Z1, Z12
Z2*
Z3*
Z4*
Z5
Z6
Z7, Z8
0.250
″
x 0.083
″
Microstrip
0.450
″
x 0.083
″
Microstrip
0.535
″
x 0.083
″
Microstrip
0.540
″
x 0.083
″
Microstrip
0.365
″
x 1.000
″
Microstrip
1.190
″
x 0.080
″
Microstrip
0.115
″
x 1.000
″
Microstrip
V
BIAS
V
SUPPLY
RF
OUTPUT
RF
INPUT
DUT
C1
C2
C3
C4
C5
R1
Z1
Z2
Z3
C6
Z8
R2
Z6
R3
Z7
Z13
Z14
V
SUPPLY
C11
C12
C13
C7
C8
Z4
Z5
Z9
C10
Z10
Z11
Z12
C14
+
C9
Table 6. MRF6S18100NR1(NBR1) Test Circuit Component Designations and Values — 1930-1990 MHz
Part
Description
C1
100 nF Chip Capacitor (1206)
C2, C3, C6, C10, C11
6.8 pF 600B Chip Capacitors
C4, C5, C12, C13
4.7
μ
F Chip Capacitors (1812)
C7
0.3 pF 700B Chip Capacitor
C8
1.3 pF 600B Chip Capacitor
C9
0.5 pF 600B Chip Capacitor
C14
470
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitor, Radial
R1, R2
10 k
Ω
, 1/4 W Chip Resistors (1206)
R3
10
Ω
, 1/4 W Chip Resistor (1206)
Part Number
Manufacturer
AVX
ATC
TDK
ATC
ATC
ATC
Philips
1206C104KAT
600B6R8BW
C4532X5R1H475MT
700B0R3BW
600B1R3BW
600B0R5BW
13661471
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
MRF6S18100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S18100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S18140HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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