參數資料
型號： MRF6V2010NBR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： RF功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側
文件頁數： 5/15頁
文件大小： 595K
代理商： MRF6V2010NBR1
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
0.1
100
0
20
10
V
DS
, DRAINSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Capacitance versus Drain-Source Voltage
C
30
C
iss
0.1
100
1
T
C
= 25
°
C
10
10
V
DS
, DRAINSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. DC Safe Operating Area
I
D
,
40
0.35
0
DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
20
120
Figure 5. DC Drain Current versus Drain Voltage
I
D
,
60
18
25
I
DQ
= 45 mA
0.1
23
22
21
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 6. CW Power Gain versus Output Power
G
p
,
V
DD
= 50 Vdc
f1 = 220 MHz
10
1
40
100
24
V
GS
= 3 V
C
oss
C
rss
80
100
2.75 V
2.63 V
2.5 V
2.25 V
20
10
38 mA
55
20
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 7. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
25
30
35
40
10
20
I
D
V
DD
= 50 Vdc
f1 = 220 MHz, f2 = 220.1 MHz
TwoTone Measurements
100 kHz Tone Spacing
45
50
23
37
47
13
17
15
45
43
41
39
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 8. CW Output Power versus Input Power
P
o
,
19
21
P3dB = 40.87 dBm (12.2 W)
Actual
Ideal
P1dB = 40.43 dBm (11.04 W)
V
DD
= 50 Vdc, I
DQ
= 30 mA
f = 220 MHz
1
200
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
1
20
19
30 mA
23 mA
15 mA
I
DQ
= 60 mA
15 mA
23 mA
38 mA
45 mA
30 mA
Measured with
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz
V
GS
= 0 Vdc
相關PDF資料
PDF描述
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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