參數(shù)資料
型號： MRF6V2010NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 9/15頁
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代理商： MRF6V2010NBR1
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NBR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6V2010NBR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W Latrl N-Ch. Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2010NBR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V2010 Series 450 MHz 10 W 50 V N-Channel RF Power MOSFET - TO-272
MRF6V2010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W TO270-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2010NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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