參數(shù)資料
型號： MRF6V2010NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 7/15頁
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代理商： MRF6V2010NBR1
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 50
Ω
Z
load
f = 220 MHz
f = 220 MHz
Z
source
V
DD
= 50 Vdc, I
DQ
= 30 mA, P
out
= 10 W CW
f
MHz
Z
source
Z
load
220
20 + j25
75 + j44
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 13. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6V2010NBR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W Latrl N-Ch. Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2010NBR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V2010 Series 450 MHz 10 W 50 V N-Channel RF Power MOSFET - TO-272
MRF6V2010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W TO270-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2010NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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