參數(shù)資料
型號： MT46V128M4P-75L:C
元件分類： DRAM
英文描述： 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66
文件頁數(shù)： 5/94頁
文件大小： 4179K
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 1/06 EN
13
2000–2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Ball/Pin Assignments and Descriptions
Figure 6:
60-Ball FBGA Ball Assignment (Top View)
VSSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
VREF
DQ15
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CK
A12
A11
A8
A6
A4
VSS
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CK#
CKE
A9
A7
A5
VSS
VDD
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
WE#
RAS#
BA1
A0
A2
VDD
DQ0
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
CAS#
CS#
BA0
A10
A1
A3
VDDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
NC
x16 (Top View)
VSSQ
NC
VREF
NF
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CK
A12
A11
A8
A6
A4
VSS
DQ3
NF
DQ2
DQS
DM
CK#
CKE
A9
A7
A5
VSS
VDD
DQ0
NF
DQ1
NC
WE#
RAS#
BA1
A0
A2
VDD
NF
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
CAS#
CS#
BA0
A10
A1
A3
VDDQ
NC
x4 (Top View)
VSSQ
NC
VREF
DQ7
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CK
A12
A11
A8
A6
A4
VSS
DQ6
DQ5
DQ4
DQS
DM
CK#
CKE
A9
A7
A5
VSS
VDD
DQ1
DQ2
DQ3
NC
WE#
RAS#
BA1
A0
A2
VDD
DQ0
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
CAS#
CS#
BA0
A10
A1
A3
VDDQ
NC
x8 (Top View)
A
12
3
4
5
6
7
8
9
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
A
12
3
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5
6
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8
9
B
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D
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A
12
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5
6
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B
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D
E
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L
M
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT46V128M4P-75ZLIT:C 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
MT46V64M4TG-75E 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
MT46V64M4FG-75Z 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60
MT47H128M8HQ-3AT 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60
MT47H64M16HR-3IT 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT46V128M4T67A3WC1 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MX4 DDR SDRAM DIE-COM COMMERCIAL 2.5V - Trays
MT46V128M4TG-5B/D 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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