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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V64M4FG-75Z |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 14 MM, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 18/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 2343K |
| 代理商： | MT46V64M4FG-75Z |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當(dāng)前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁
256Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef8076894f
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
256MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. K 9/04 EN
25
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 16: Random READ Accesses
NOTE:
1. DO n (or x or b or g) = data-out from column n (or column x or column b or column g).
2. Burst length = 2, 4 or 8 (if 4 or 8, the following burst interrupts the previous).
3. n' or x' or b' or g' indicates the next data-out following DO n or DO x or DO b or DO g, respectively.
4. READs are to an active row in any bank.
5. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
CK
CK#
COMMAND
READ
NOP
ADDRESS
Bank,
Col n
Bank,
Col x
Bank,
Col b
Bank,
Col x
Bank,
Col b
READ
Bank,
Col g
COMMAND
ADDRESS
CL = 2
CK
CK#
COMMAND
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 2.5
DQ
DQS
DO
n
DO
x'
DO
g
DO
n'
DO
b
DO
x
DO
b'
DO
n
DO
x'
DO
n'
DO
b
DO
x
DO
b'
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T4n
T5n
READ
NOP
Bank,
Col n
READ
Bank,
Col g
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T4n
T5n
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
Bank,
Col x
Bank,
Col b
COMMAND
ADDRESS
CK
CK#
COMMAND
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 3
DO
n
DO
x'
DO
n'
DO
b
DO
x
DO
b'
READ
NOP
Bank,
Col n
READ
Bank,
Col g
T0
T1
T2
T3
T3n
T4
T5
T4n
T5n
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HQ-3AT | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M16HR-3IT | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32TG-10 | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48V8M16LFB4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V64M4FJ-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M4FJ-6T | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M4FJ-75Z | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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