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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT57W4MH9CF-6 |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 9 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 344K |
| 代理商： | MT57W4MH9CF-6 |
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4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36
1.8V VDD, HSTL, DDR SIO SRAM
ADVANCE
36Mb: 1.8V VDD, HSTL, QDRB2 SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT57W2MH18C_B.fm – Rev. B, Pub. 2/03
9
2003 Micron Technology, Inc.
Table 5:
1 Meg x 36 Ball Layout (Top View)
165-Ball FBGA
12
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
CQ#
VSS/SA1
NC/SA2
R/W#
BW2#3
K#
BW1#4
LD#
SA
VSS/SA5
CQ
B
Q27
Q18
D18
SA
BW3#6
K
BW0#7
SA
D17
Q17
Q8
C
D27
Q28
D19
VSS
SA
VSS
D16
Q7
D8
D
D28
D20
Q19
VSS
Q16
D15
D7
E
Q29
D29
Q20
VDDQVSS
VSS
VDDQ
Q15
D6
Q6
F
Q30
Q21
D21
VDDQVDD
VSS
VDD
VDDQ
D14
Q14
Q5
G
D30
D22
Q22
VDDQVDD
VSS
VDD
VDDQ
Q13
D13
D5
H
DLL#
VREF
VDDQVDDQVDD
VSS
VDD
VDDQVDDQVREF
ZQ
J
D31
Q31
D23
VDDQVDD
VSS
VDD
VDDQ
D12
Q4
D4
K
Q32
D32
Q23
VDDQVDD
VSS
VDD
VDDQ
Q12
D3
Q3
L
Q33
Q24
D24
VDDQVSS
VSS
VDDQ
D11
Q11
Q2
M
D33
Q34
D25
VSS
D10
Q1
D2
N
D34
D26
Q25
VSS
SA
VSS
Q10
D9
D1
P
Q35
D35
Q26
SA
C
SA
Q9
D0
Q0
R
TDO
TCK
SA
C#
SA
TMS
TDI
NOTE:
1. Expansion address: 2A for 288Mb
2. Expansion address: 3A for 72Mb
3. BW2# controls writes to D18:D26
4. BW1# controls writes to D9:D17
5. Expansion address: 10A for 144Mb
6. BW3# controls writes to D27:D35
7. BW0# controls writes to D0:D8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MT57W512H36JF-6 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT57W512H36JF-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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