參數(shù)資料
型號(hào)： PH8230
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 30 A, 30 V, 0.0082 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 214K
代理商： PH8230
Philips Semiconductors
PH8230
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 23 June 2003
4 of 12
9397 750 11118
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
2.5
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03am22
10-3
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
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PH965C6 SPECIFICATION
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